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公司于2007年成功研发出了快恢复外延二极管（FRED）第一代芯片（M1d）F 系列；2010 年，公司成功推出第一代 IGBT 产品—1200V 平面栅 NPT 结构的 IGBT 芯片 M1i。2021 年，公司在上海科创板上市。
公司主要是做以 IGBT、FRED 为主的功率半导体芯片、单管和模块设计、研发、生产和销售。
公司主要为电动汽车驱动、充电桩、光伏逆变器、变频器、电焊机、UPS 电源等领域的客户提供应用广泛、性能优异的功率半导体器件。
模块业务最重要的包含电动汽车驱动、变频器，电焊机、逆变器和 UPS 电源；单管业务包括变频器、伺服电机、电焊机、UPS 电源、充电桩。
IGBT、FRED 单管和模块的核心是 IGBT 芯片和 FRED 芯片，企业具有自主研发设计市场主流 IGBT 和 FRED 芯片的能力。
公司主要经营业务中芯片、单管完全采用自研芯片；模块产品分别采取了自研芯片和外购芯片。
公司依靠自身技术、工艺、人才、管理等优势的长期积累，成功实现了 IGBT、FRED 等功率半导体器件（涵盖芯片、单管及模块）的多类型产品布局。
截止2022年 12 月 16 日，公司控制股权的人赵善麒持有公司 17.78%的股份，同时担任公司的董事长兼总经理。
核心高管控股有助于公司经营活动与管理层战略保持高度一致。公司的第二大股东为赣州常春新优投资合伙企业，持有公司5.11%的股份。
全资子公司江苏宏电业务包括太阳能光伏设备研发、生产、销售，以及风力发电研发技术、风力发电设备及配件制造、销售等；同时公司还参股了两家股权投资合伙企业。
2017 至 2021 年，公司营业收入复合增速达 27.38%。2021 年营收同比增速达 66.04%，呈现加速态势。2022 前三季度实现盈利收入 6.15 亿，同比增速达 66.18%；2022 年前三季度公司归母纯利润是 0.61 亿元，同比增加 31.53%。
公司由于下游客户结构优秀，对应市场景气度较高，截止 2022Q3 接受的订单饱满，整体产能利用率有所提高，反映到业绩端，公司自 2021 年后业绩保持高速增长。
2017 至 2020 年公司整体毛利率较为平稳，2022 前三季度公司综合毛利率 21.77%，相较于 2021 全年，提升 0.20pct。净利率方面，由于公司加大研发投入和相关财务费用增加导致短期波动，2022 前三季度公司净利率 9.95%。费用方面，公司三费呈现年年在下降态势，表明了公司的管控能力逐步提升。
模块业务依旧是公司的主要收入来源，2021 年公司模块业务营收 3.52 亿元，同比增速为 41.44%；同时在 2021 年单管业务明显地增长，2021 年业务营收 1.49 亿，同比增长 243.99%。毛利率方面，受托加工、芯片和单管 2021 年毛利率分别是 54.35%、28.17%和 24.21%。
公司近年来不断加码研发投入，2022 年前三季度公司研发费用 4143.53 万元，同比增长 100.95%；研发费用营业收入占比 6.74%。2021 年研发投入研发人员提升至 113 名，占总员工比例超过 20%。
➢ 公司的 M5i 微沟槽 650V 系列除了在光伏行业所使用的单管产品上获得了验证和批量交付，针对 UPS 和光伏行业领域同期推出新的定制模块产品规格，目前制样进展顺利，预期会在 2022H2 完成客户端的验证和新产品导入等工作；
➢ 2022H1 公司首颗 M7i 1200V IGBT 通过客户验证并获得小批量订单，中大电流规格产品拓展正在进行，预计 2022H2 陆续出样，2023 年全面推向市场；
➢ 车用 400A/750V 定制型模块产品已获得客户认证，且批量交付使用，整体性能及可靠性表现良好，预计 2022H2 可并入公司自动化线进行生产；
➢ 光伏逆变器用 80A 逆变模块开发进展顺利，22H1 大批量交付客户安装使用；
➢ 光伏用大功率模块已立项研发，可实现 800A/1200V 电流电压等级，预计 2023 年可实现批量交付。
纵观 A 股上市功率半导体核心公司，近三年研发费用率在 2.2%~11.2%区间，宏微科学技术研发费用率近年来均不低于 6.7%，在整个行业中属于较高范畴。
我们认为长期的高强度研发投入一方面使得公司产品持续迭代，同时有利于提升公司对 IGBT 模块、SiC 等新产品的研发速度。我们大家都认为前期的高强度研发投入将使得公司在未来发展更加顺利。
公司 2022 年 6 月发布了股权激励，本次股权激励涉及公司高管和公司核心技术人员在内的 130 人，合计授予 176.56 万股，占总股本约 1.28%。
➢ 以 2021 年营业收入为基数，2022年营业收入增长不低 37%。
➢ 以 2021 年营业收入为基数，2023年营业收入增长不低于 81%。
➢ 以 2021 年营业收入为基数，2024年营业收入增长不低 172%。
公司于 2022 年 9 月 26 日召开董事会，审议通过了《关于投资建设车规级功率半导体分立器件生产研发项目的议案》，同意投资 6.00 亿元进行车规级功率半导体分立器件生产研发项目建设。预计建设周期 3 年。
项目建成后，公司将形成年产车规级功率半导体器 件 840 万块的生产能力。2022 年 9 月，宏微科技发布公告，计划向不特定对象发行可转换公司债券拟募集资金总额不超过 4.50 亿元。募集资金投资项目为“车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）”，项目选址位于江苏省常州市新北区新竹路 5 号，项目计划总投资 5.07 亿元，本项目建成后，将形成年产车规级功率半导体器件 240 万块的生产能力，助力公司深化主营业务发展，显著提升收入规模和盈利水平，强化公司市场地位，从而保持市场之间的竞争优势。
功率器件通常也称为电力电子器件，是电力电子电路中电能转换与电路控制的核心，大多数都用在改变电压和频率，或将直流转换为交流、交流转换为直流等的电力转换。
功率半导体的目的是使电能更高效、更节能、更环保并给使用者提供更多方便，应用于普通工业、交通运输、通信系统、计算机系统、新能源系统，以及照明、家用电器、个人电脑、 消费电子等领域。广义上讲功率半导体分为功率（分立）器件和功率集成电路（Power Integrated Circuit， PIC）。
分立器件指采取了特殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本比较高，功率器件为分立器件中的重要组成部分，最重要的包含功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。
纵观功率器件领域过去近 70 年的发展史，从上世纪 80 年代以前以半控型晶闸管为核心器件的传统电力电子时代（第一代电力电子技术），到 80 年代后以 MOSFET、IGBT 等全控型功率器件为核心的现代电力电子时代（第二代电力电子技术），功率器件的发明和迭代驱动着电力电子技术不断进步。
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）中文名称为金属氧化物半导体场效应晶体管，即利用金属层（M）的栅极隔着氧化物（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
IGBT 是由 BJT 和 MOSFET 组成的复合功率半导体器件，因此它既具备 MOSFET 开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，简言之 IGBT 在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件所不能够比拟的。
采用 IGBT 进行功率变换，可提升用电效率和质量、高效率节约能源、绿色环保，因而是电力、电子领域较为理想的开关器件，IGBT 主要被用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域，小到家电，大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业都会用到 IGBT。
在 IGBT 应用中最常见的形式是模块（Module）。模块是多个芯片以绝缘方式组装到金属基板上，通过高压硅脂或硅脂等在允许电压下不导电的材料封装，IGBT 模块对内部的芯片的一致性要求比较高。模块通过多个 IGBT 芯片并联，电流规格和电压一般会比 IGBT 单管高 1-2 个等级，多个 IGBT 芯片通过特定电路形式组合，能够大大减少外部电路连接的复杂性，同时在同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与 IGBT 芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。
第一代：IGBT 为简单在 MOSFET 背面的漏电极增加了一个 P+层，由于导通电阻和关断功耗都比较高，所以没有普及使用。
第三代：NPT-IGBT，不再采用外延生长技术而是采用立子注入技术来生成 P+集电极，技术很成熟而且在稳态损耗损耗关断损耗间取得了很好的折中，被广泛采用。
第四代：Trench-IGBT，采用 Trench 结构同时继续沿用第三代的 P+集电极技术，使得其导通电阻变小且具有高耐压能力。
第五代 FS-IGBT、第六代 FS-Trench 是经历了上述四次技术改进实践后对各种技术措施的重新组合，其中第五代是第四代产品“透明集电区技术”与“电场中止技术”的组合，第六代产品是在第五代基础上改进了沟槽栅结构。
目前 IGBT 产品迭代至第七代，芯片面积相较于第一代产品有了大幅的缩小，工艺线 微米。
IGBT 被行业称为新能源汽车的 CPU，是新能源汽车的核心，直接控制了驱动系统直流、交流电的转换，决定了系能源汽车最大输出功率和扭矩等核心数据。
根据 OFweek 数据，在整个新能源汽车自造过程中，电机驱动系统占全车制造成本 15~20%，而其中 IGBT 占电机成本的约 50%，则可以算出 IGBT 占整车成本 7~10%。
根据新浪汽车数据，在特斯拉的双电机全驱动版车型 Model X 中，使用了 132 个 IGBT 管：其中前电机有 36 个，后电机有 96 个，价值大约在 650 美金。
近年来以风能、太阳能等为代表的新能源产业发展迅速。风能、太阳能发电产生的电力要经过逆变器才能并网使用，IGBT 模块是逆变器的核心电子元器件，因此，未来新能源领域的加快速度进行发展将会推动 IGBT 行业的快速发展。
从发电端来看，风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需要用 IGBT 模块。
从输电端来看，特高压直流输电中 FACTS 柔性输电技术需要大量使用 IGBT 等功率器件。
从用电端来看，家用白电、微波炉、LED 照明驱动等都对 IGBT 有大量的需求。
纵观功率半导体的发展，我们得知在不同的时间阶段，具有不一样的高增速应用场景来支撑行业发展，根据 Yole 统计，1970~2000 期间，工业制造领域发展迅速，同时也是功率电子的重要应用场景；2000 年之后，随着手机、笔记本电脑的普及以及升级，消费电子领域引领功率电子继续发展；2010 年之后，光伏产业随着装机量的提升从而对于功率电子带动显著；2015 年至今，随着新能源汽车的不断渗透，给功率电子市场持续注入动力。
同时根据 Yole 预测，未来随工业自动化、5G 通信技术普及以及新型通信技术的发展、光伏装机量的持续提升以及新能源汽车的持续渗透，到 2030 年整个功率电子市场都或将保持增长态势。
根据 Yole 统计，2020 年由于外部外因对终端需求短期的影响，功率电子市场出现停滞，后续随着相关因素的逐步缓解，2021 年全球功率半导体市场规模达到 192.79 亿美元，同比上升 9.5%。
同时 Yole 预测，到 2026 年全球规模预计将达到 262.74 亿美金，2020~2026 年复合增速 6.9%，但是如果将其中增速缓慢的老一代产品去除后，只考虑 IGBT 模块、SiC/GaN 等高增速器件，则整体复合增速将显著提升。
在功率器件中，模块器件的增速将远高于行业增速，根本原因系模块产品相较于单管的分器件而言，可以在一定程度上完成更可靠、高集成和高效率，在大电流和电压的场景中优势尤为显著，而未来增速较快的应用领域，例如新能源汽车、光伏、储能等领域均需要满足大电流/电压下的可靠性和高效性。
根据 Yole 数据，2020 年全球 IGBT 市场规模约为 54 亿美金，其中主要使用在场景及占比： 工业控制（31%）、家电（24%）、EV/HEV 新能源汽车（9%）、轨道交通（6%）、光伏 （4%）、直流充电设备（1%）。
根据 Omdia 数据，2021 年全球功率半导体前十大收入厂商大部分为海外企业，其中英飞凌收入 48.69 亿美元位居世界第一，安森美与意法半导居 TOP2-3，收入分别是 20.51 亿美元、17.14 亿美元。
碳化硅电力电子市场规模有望在 2027 年达到 63 亿美金，汽车占比 79%。
根据 Yole2022 最新报告，2021 年碳化硅电力电子市场规模 10.9 亿美金，随着下游汽车、工业等领域的需求迅速增加，尤其是 800V 平台架构下快充对于碳化硅功率器件的需求，推动碳化硅电力电子市场规模有望在 2027 年增长至 63.0 亿美金，2021-2027 年复合增速达到 34%。
根据全球碳化硅龙头 Wolfspeed 最新投资者日法说会，从燃油车到纯电动汽车，其动力总成系统的单车半导体价值含量接近翻倍。
未来随着纯电动车渗透率的稳步提升，以及充电桩设施的持续完善布局，公司预计 2026 年全球车用碳化硅渗透率将超过 50%。车用碳化硅市场规模也有望从 2022 年的 10.6 亿美金增长至 2027 年的 49.9 亿美金，而这其中约 90%的价值量来源于逆变器，10%来源于 OBC。
衬底是 SiC MOSFET 成本占比最高的环节，衬底自供将明显降低芯片成本。
对比海外主流厂商同等电压级别，同 Rfson 的 SiC MOSFET 器件成本结构，一样能看到衬底是占比最高的环节，此外有必要注意一下的是，Wolfspeed 的 SiC MOSFET 器件的每安培成本低于其他几家厂商。
根据 PGC Consultancy，碳化硅行业中具备垂直整合能力的公司，其衬底自供将明显降低成本。
根据 Yole，目前全世界内，意法半导体、Wolfspeed、安森美和英飞凌科技等龙头公司在近年分别宣布了其 SiC 的战略规划及目前成果：例如意法半导体的 SiC 模块在特斯拉 Model 3 中已经使用多年；英飞凌在 2021 年 SiC 器件业务实现 126%的同比增长；Wolfspeed 在法说会中表示，未来活动中心将放在 SiC 业务中。
从这些事例中显而易见，SiC 或将成为未来继 IGBT 后功率电子公司的又一重点发展领域。根据 Yole 统计，目前中国有超过 50 家企业已经宣布以不同的方式和战略进入 SiC 领域。
研发是公司保持技术竞争力的核心。公司是由一批长期在国内外从事电力电子科技类产品研发 和生产，具有多种专项技术的科学技术人员组建的国家重点高新技术企业。
是国家高技术产业化示范工程基地，国家 IGBT 和 FRED 标准起草单位；江苏省博士后创新基地，江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心等。
截止 2022H1，公司已有 37 项发明专利，93 项实用新型专利。科学研究和技术合作在在推动行业科学技术进步的同时，也助力公司实现不断发展。
核心技术对标行业龙头：公司成立了健全的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计、模块封装测试等工艺技术积累，在核心技术方面不断突破，打造了自身在功率半导体芯片设计领域和模块封装领域的核心能力，并形成了公司的主要核心技术。
创新机制提供源源活力：公司格外的重视技术创新，坚持以研发促进公司发展，从研发管理机制、人才队伍建设、技术交流与合作研发机制、知识产权保护等方面促进技术持续创新，保持核心技术竞争优势。
➢ 人才队伍建设：坚持人才教育培训与优秀人才引进并举的策略，建立起了灵活有效的研发人才聘用机制，自主人才教育培训方面，公司重视将员工的个人成长和企业未来的发展紧密结合，通过择优的选拔机制来提拔优秀人才；在人才引进方面，公司积极通过各大院校、社会招聘等方式引进国内外优秀的人才。
➢ 技术交流机制：对内，公司不定期举办各种技术交流和分享会；对外，公司积极安排相关研发人员不定期参加国内外高水平的行业展会和学术交流会，并不定期邀请国内外行业内高级别专家对公司研发人员进行培训与指导。
➢ 知识产权保护：公司对自身核心技术通过申请专利的方式来进行保护，同时利用保密软件，并在研发工作中与员工签订保密协议和竞业禁止协议，设定研发文件保密等级限制接触人员等方式对公司核心技术进行保护。
➢ 研发管理机制：为保障研发项目的顺利进行，公司成立了一系列的研发项目管理制度，同时通过 ERP 系统等先进企业管理系统对项目进行辅助管理。
公司产品类别全面、性能先进：目前，公司产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及单管产品 100 余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品 400 余种。 经过公司多年持续的投入研发，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
产品迭代快速：目前在功率器件行业，国内厂家技术实力和市场占有率与国际巨头均存在某些特定的程度的差距，公司紧跟行业趋势不断加码研发投入，进行产品升级迭代，确保公司产品能从始至终保持较强的市场竞争力。
性能指标：公司一直专注于功率半导体芯片、单管和模块研发及应用，在 IGBT 芯片及模块方面做了大量的深入的研究和开发，积累了丰富的设计和制造经验。IGBT 系列新产品的性能主要由芯片性能决定，衡量 IGBT 芯片的核心性能指标主要为电流密度、芯片损耗、击穿耐压、短路极限，具体如下：
公司目前已掌握功率半导体器件行业的核心工艺技术，如 IGBT 沟槽结构+场阻断技术和最新的微沟槽技术、FRED 的超软恢复以及寿命控制技术、模块封装的纳米银烧结工艺和低分布参数的布线技术等，产品性能比肩国际巨头。
➢ 第三代产品对比：公司于 2017 年开始推出并实现量产的宏微第三代 IGBT M3i 1200V 系列电流覆盖 10A 到 200A，选取其中典型的 50A 与英飞凌科技于 2010 年开始推出的市场主流 T4 同规格产品关键参数做横向对比，主要技术指标如下：
➢ 第四代产品对比：公司于 2019 年研发成功的宏微第四代 IGBT M4i 750V 280A 芯片与英飞凌科技于 2016 年开始推出的车用 HybridPack Drive 模块中所用 EDT2 芯片，经电参数的横向对比，公司的芯片产品在击穿耐压、短路极限时间方面与英飞凌芯片基本相同，在芯片开通损耗、关断损耗、电流密度方面与英飞凌芯片相接近。
➢ 第五代产品对比：公司于 2021 年初研发成功的宏微第五代 IGBT 产品与英飞凌相近型号产品做横向对比，可知公司的产品在击穿耐压与英飞凌产品基本相同，在芯片损耗、电流密度等方面与英飞凌产品相接近。目前改产品已实现量产。
综上所述，公司的 IGBT 产品性能已基本实现对标英飞凌各代主流 IGBT 产品。
优异的产品性能是实现国产替代的核心，截止 2022H1 公司第七代 IGBT 产品第七代微沟槽 IGBT M7i 已完成芯片技术平台的开发和验证，未来有望实现高端功率产品的进口替代，逐步优化公司产品价格结构。
与国内有突出贡献的公司产品对比：公司于 2017 年推出的宏微第三代 IGBT M3i 1200V 50A 与斯达半导的 50A 产品在击穿耐压、阈值电压、短路极限等重要指标方面基本相同，基于系统电磁兼容性考量，与行业内公司英飞凌产品设计相似，公司产品有增加栅极集成电阻，使得高温开通损耗略高，公司产品与斯达半导产品性能不存在重大差异。公司的第三代 IGBT-M3i 1200V 50A 芯片与斯达半导产品主要性能指标对比如下：
市场优势：公司功率产品目前覆盖工业控制、光伏、新能源汽车等高景气度下游领域。
预计未来工业控制、光伏、新能源汽车等领域行业景气度继续维持，公司有望乘行业东风步入快速地发展阶段。除了 IGBT 器件得到了广泛的应用和拓展，SiC 器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点，也慢慢变得多地得到了认可和应用。
据公告，公司在 SiC 芯片和封装方面也进行了布局，相关 SiC 模块已经批量应用于新能源 行业。
➢ 工业控制：根据《2021 年中国工业自动化市场白皮书》数据，2022 年中国自动化整体市场规模将达到 2816 亿元，同比增长 11.3%左右。我们大家都认为随着工厂智能化、机器换人、高端制造等行业需求的愈发突出，工业控制领域未来或将维持较好发展。
➢ 光伏：全球碳中和推动光伏高景气，平价上网奠定中国光伏良性发展基调。2018 年 起，美国、欧盟、中国等主要经济体陆续出台减碳政策，全球光伏行业受益高景气度运行。
中国光伏行业经历多轮电价调整，2015-2017 年抢装热后行业降温，2021 年开启平价上网时代，对行业长期良性发展意义重大。
根据国家能源局数据，2021 年全国年度新增光伏装机量 54.88GW，同比+13.96%。
目前新能源汽车增速加速明显，根据中汽协数据，我国在 2016~2021 年新能源汽车销量年复合增速高达 47.34%。其中根据工信部数据，2021 年全国新能源汽车销量为 352.1 万辆，同比增长 1.6 倍，连续 7 年全球第一。
单月数据分析来看：我们国家新能源汽车 9 月销量再创新高。新能源汽车为功率半导体主要的增量应用场景，随着汽车电动化的进程加深，我们国家新能源汽车销量在 2022 年 9 月 再创新高，根据中国汽车工业协会数据，我国 9 月新能源汽车首次月度销量突破 70 万，达到 70.75 万辆的单月销量。
具体分品牌看，根据乘联会数据，9 月比亚迪销量依旧领先，月销量 20.1 万，环比增长 15.50%；理想汽车 9 月销量 1.2 万辆，环比增速 152.26%为 9 月环比销量增速最快的车企；另外的品牌中，长安汽车由于新车 Lumin 的批量交付，销量月度环比增长 71%。
经过多年的积累，公司已拥有较为丰富的优质客户资源，与行业龙头或有名的公司客户建立了较为稳定的配套合作伙伴关系。公告显示公司目前前五大客户除去一个代理商之外其他均为行业有突出贡献的公司。预计未来随着进口替代的不断深入，强劲的产品性能和全面的产品类别将助力公司收获更多下游优质客户。
➢ 在工业控制领域：变频器行业有名的公司：台达集团、汇川技术、英威腾、合康新能等；电焊机行业有名的公司：松下、佳士科技、奥太集团、上海沪工等均保持稳定合作关系。
➢ 在光伏领域：公司主要客户有阳光电源、固德威、格瑞瓦特等多家有名的公司，市场占有率逐步扩大。公司现在已经成为 A 客户光伏逆变器的的供应商之一。同时 2020 年 2 月，公司与 A 客户签订了《关于光伏 IGBT 产品的合作协议》，合同期限至 2025 年 12 月 31 日，经过长时间的验证，公司有关产品指标达到 A 客户要求。
➢ 在电动汽车领域：公司产品大多数都用在电控系统，主要客户有比亚迪、长城汽车、汇川、臻驱科技等多家有名的公司。充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等知名企业。
在 2022 年公司相关汽车产品完成了在电动汽车主驱 IGBT 模块产品批量化供应，出货给整车客户和 Tier1 客户，我们大家都认为后续随着相关产能的爬坡，相关这类的产品销售占比有望快速提升。同时公司目前积极布局 SiC 相关这类的产品，未来可期。
公司于 2022 年 9 月 26 日召开董事会，审议通过了《关于投资建设车规级功率半导体分立器件生产研发项目的议案》，同意投资 6.00 亿元进行车规级功率半导体分立器件生产研发项目建设。预计建设周期 3 年。项目建成后，公司将形成年产车规级功率半导体器件 840 万块的生产能力。
2022 年 9 月，宏微科技发布公告，计划向不特定对象发行可转换公司债券拟募集资金总额不超过 4.50 亿元。募集资金投资项目为“车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）”，项目选址位于江苏省常州市新北区新竹路 5 号，项目计划总投资 5.07 亿元，本项目建成后，将形成年产车规级功率半导体器件 240 万块的生产能力，助力公司深化主营业务发展，显著提升收入规模和盈利水平，强化公司市场地位，从而保持市场之间的竞争优势。
我们对宏微科技的业绩进行拆分，我们大家都认为公司未来的主要增长点依旧为单管以及功率模块产品，其规模化将在2022年进一步体现，同时配合新产能的扩充收入增速依旧维持较高水准，我们预计公司：
费用率方面，由于规模化提升，我们预计营业费用会有一定的增加，同时研发强度依旧维持在较高水准，管理费用随着规模的提升有一定优化下降，总体费用趋势区趋于平缓。
在新能源领域中：风能、太阳能发电产生的电力要经过逆变器才能并网使用，IGBT 模块是逆变器的核心电子元器件，因此，未来新能源领域的加快速度进行发展将会推动 IGBT 行业的快速发展。
在汽车领域：IGBT 被行业称 为新能源汽车的 CPU，是新能源汽车的核心，直接控制了驱动系统直流、交流电的 转换，决定了系能源汽车最大输出功率和扭矩等核心数据。
目前，公司产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及 单管产品 100 余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品 400 余种.经过公司多年持续的投入研发，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水 平。其第五代 IGBT 产品能够与全球龙头英飞凌同等级产品做直接技术对标，同 时公司第七代 IGBT 产品截止 2022H1 已完成芯片技术平台的开发和验证。
在工业、新能源、汽车领域，公司深度绑定国内优质客户，其中 2020 年 2 月，公司与 A 客户签订了《关于光伏 IGBT 产品的合作协议》，合同期限至 2025 年 12 月 31 日，经过长时间的验证，公司有关产品指标达到 A 客户要求。我们大家都认为伴随绑定的深入以及合作的加深，未来在 SiC 等新产品中双方也存在合作的机会。
根据公司公告，截止 2021 年底，公司已完成乘用电动车电控用 SiC 模块及封装技术的预研和样品制作，定制化车乘用电动车电控用 SiC 模块开发进度加快，完成样品的交付。
完成 3 款定制化用于新能源领域的 SiC MOS 模块产品的开发，通过客户验证，产品逐步上量交付。
我们选择同为功率半导体行业的斯达半导、东微半导作为估值参考，其中斯达半导作为国内功率半导体领军企业，其收入体量远超宏微科技，由于功率半导体下游新兴领域应用不断加速，同时国产化替代进程仍在持续，市场普遍给予较高估值水平。
同时在功率半导体公司中，我们得知 IGBT 产品占比较高的公司，估值普遍较高：根据 Wind 数据，斯达半导 2018~2021 年 IGBT 产品收入占比均超 90%，根据宏微科技招股书数据，2018~2020 年其 IGBT 系列新产品收入占比由 43.49%提升至 56.47%。
后续我们大家都认为宏微科技在 IGBT 模块的收入占比将会不断的提高。同时通过对比两家公司的估值我们得知，IGBT 模块占比较高的公司，由于其下游应用领域普遍对应新能源汽车、光伏、储能等新兴行业，通常享有较高的估值。
IGBT 的产品性能以及所应用的下游领域也作为功率半导体公司估值的重要标准：因为功率半导体对应的下游市场广泛，而其中增速较快的领域目前集中在光伏、新能源汽车等领域中。
➢ 性能方面：公司 3~5 代产品与全球龙头英飞凌或国内 IGBT 核心公司相比，均有部 分参数具有一定优势。
➢ 在光伏领域客户：公司主要客户有 A 客户、阳光电源、固德威、格瑞瓦特、禾望、盛弘股份、科士达、科华等。
➢ 在电动汽车领域客户：比亚迪、长城汽车、汇川、臻驱科技等多家知名企业。
同时，纵观整个功率半导体行业，在结束 2020~2021 年的行业季度缺货后，对比功率半导体核心公司 2022 前三季度业绩我们得知，对应的应用领域和产品核心技术指标竞争力是产能充足期企业的核心竞争力。
宏微科技作为 IGBT 为主要收入来源的企业，IGBT 的性能强劲的同时下游对应工业控制、光伏、新能源汽车三大领域，且客户阵容十分豪华，下游需求持续旺盛同时公司技术实力强劲，造就公司业绩端持续呈现加速态势。
结合公司自身产品结构、产品性能、对应的应用领域、优质客户群体以及晶圆产能充足期 较高的业绩增速，我们大家都认为宏微科技应当享有高于行业中等水准的估值。
根据对比我们得知，宏微科学技术研发费用率在行业中处于领先水平，并且普遍高于同等市 值下的功率电子企业；
从 2022 年前三季度收入情况去看，宏微科技无论在 2022Q1~Q3 还是在 2022Q3 收入增速均为行业内最高，未来公司依托新领域、核心客户，我们预计 未来 3 年公司收入增速将不低于 60%的同比增速增长，由于宏微科技目前收入体量在行 业中依旧较小，在下游应用结构和产品结构调整的关键阶段，倘若继续保持高强度研发 投入，则将对于利润有一定的影响，所以我们大家都认为收入规模的变化能够更好地反应公司 的成长，故采用 PS 估值。
通过上文比较，公司 2022 前三季度收入增速行业最高，驶入快速地发展阶段，同时从客户结构、产品结构、下游领用领域、产能布局等方面均具有自身优势且对应空间广阔，我们大家都认为未来会享有一定的估值溢价。
下游需求没有到达预期：公司增长的逻辑很大程度上来自于新能源等新兴领域的需求量开始上涨，如果未来下游需求没有到达预期，则将对公司未来业绩造成影响。
市场竞争加剧风险：功率半导体行业竞争较为激烈，海外龙头技术实力丰沛雄厚，如果未来竞争加剧，则有几率存在一定的业绩风险。
产能扩充没有到达预期：随着下游需求的增加，目前的产能不足以满足相应需求，倘若未来相关产能无法及时扩充，将对业绩造成一定的限制或影响。
报告来自：远瞻智库-为三亿人打造的有用知识平台报告下载战略报告管理报告行业报告精选报告论文参考资料远瞻智库
