上海华力微请求 ESD 结构及半导体器材专利进步芯片面积利用率
2022-04-30 17:32:43       来源：乐鱼官网

  金融界 2024 年 9 月 17 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，上海华力微电子有限公司请求一项名为“ESD 结构及半导体器材“，公开号 CN9.1，请求日期为 2024 年 6 月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种 ESD 结构及半导体器材，归于芯片静电保护技术领域，该 ESD 结构，包含在衬底上间隔安置的榜首 NMOS 管和第二 NMOS 管，榜首 NMOS 管包含榜首中压 P 阱，且榜首中压 P 阱上从左至右顺次安置有榜首 N 阱和榜首 P 阱引出区，第二 NMOS 管包含第二中压 P 阱，第二中压 P 阱上从左至右顺次安置有第二 P 阱引出区和第三 N 阱，榜首 P 阱引出区和第二 P 阱引出区之间经过第二金属衔接线互连，榜首 N 阱和第三 N 阱别离接出榜首金属衔接线、第四金属衔接线作为衔接端口。经过将两个 NMOS 管的 P 阱引出区相连，构成寄生三极管，完成双向泄放，还可以添加发射极和集电极之间的间隔来添加坚持电压，进步芯片面积利用率。